فهرست:
عنوان
صفحه
فصل اول- آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
1
1.1مقدمه
2.1 آشنایی با پلاسما
1.2.1 منحنی دشارژ گازی ولتاژ – جریان پلاسما
3.1 جنبه های کاربردی منابع توان پالسی در پلاسما
4.1 مبانی عملکرد منابع توان پالسی پلاسما
1.4.1مشخصات پالس های قدرت بالا در منابع توان پالسی
2.4.1ذخیره سازی انرژی الکتریکی
1.2.4.1 بانک خازنی
2.2.4.1 مولد مارکس
3.4.1 اصول کلید زنی در پلاسما
4.4.1 شبکه های شکل دهی پالس (PEN)
5.4.1 خط انتقال بلوملین (BLUMLEIN)
5.1 اهداف مورد بررسی در این پایان نامه
6.1 نتیجه گیری
فصل دوم- بررسی توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد استفاده درپلاسما
1.2 مقدمه
2.2 توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی پلاسما
1.2.2 توپولوژی مبتنی بر مولد مارکس
2.2.2 توپولوژی مبتنی بر مبدل های dc - dc
1.2.2.2 مبدل باک (Buck)
2.2.2.2 مبدل بوست (Boost)
فهرست مطالب
عنوان
3.2.2.2 مبدل باک - بوست (Boost -Buck)
4.2.2.2 مبدل کاک (Cuk)
5.2.2.2 مبدل های تشدیدی با کلیدزنی نرم
3.2.2 توپولوژی مبتنی بر تقویت کننده های ولتاژ
4.2.2 توپولوژی مولدهای پالس مبتنی بر اینورترها
3.2 روش های کنترلی مورد استفاده در منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
1.3.2روش کنترلی منبع ولتاژ
2.3.2روش کنترلی منبع جریان
4.3.2 روش کنترلی پسماند
4.2 نتیجه گیری
فصل سوم - طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
1.3 مقدمه
2.3 طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت
1.2.3 آرایش مداری توپولوژی پیشنهادی
2.2.3 حالت های کلید زنی توپولوژی پیشنهادی
3.2.3 تحلیل مداری توپولوژی پیشنهادی
4.2.3 محاسبه مقدارdv/dt تولید شده ناشی از کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
3.1.3 محاسبه مقادیر المان های منابع توان پالسی پلاسما
2.3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده منابع توان پالسی پلاسما
3.3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده در حالت استفاده از خازن اضافی در منابع توان پالسی پلاسما
فهرست مطالب
عنوان
4.3 طراحی استراتژی کنترلی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
1.4.3 تحلیل روش کنترلی منبع ولتاژ برای توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه
2.4.3 طراحی و تحلیل روش کنترلی منبع ولتاژ برای توپولوژی پیشنهادی در حالت دو طبقه
5.3 نتیجه گیری
فصل چهارم- شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
1.4 مقدمه
2.4 روند شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی برای منبع توان پالسی پلاسما
1.2.4 تعیین مقادیر المان و مولفه های اصلی منابع توان پالسی پلاسما
2.2.4 روش مدل سازی بار در توپولوژی پیشنهادی
3.2.4 شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه
4.2.4 شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی در حالت دو طبقه
3.4 تخمین انرژی ذخیره شده در منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
4.4 شبیه سازی dv/dt تولید شده ناشی از کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
5.4 نتیجه گیری
فصل پنجم - بحث و نتیجه گیری
- نتیجه گیری
- مراجع
فهرست شکل ها
عنوان
صفحه
فصل اول- آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
شکل(1-1) نمایی از الکترودهای بکار رفته در پلاسما
شکل(1-2) منحنی دشارژ گازی ولتاژ-جریان حالت dc پلاسما
شکل (1-3) نمای کلی از ساختار منابع توان پالسی
شکل (1-4) منحنی مشخصات یک پالس تولید شده در منابع توان پالسی
شکل(1-5) نمونه ای از کمپرسور پالس مغناطیسی
شکل (1-6) نمونه ای از بانک خازنی بکار رفته در منابع توان پالسی
شکل(1-7) نمونه ای از مولد مارکس مورد استفاده در منابع توان پالسی
شکل (1-8) مدارهای اصلی مورد استفاده در منابع توان پالسی با المان های ذخیره ساز انرژی
شکل(1-9) نمونه ای از بانک خازنی با کلیدهای چندکاناله
شکل (1-10) آرایش مختلفی از شبکه نردبانی مورد استفاده در شبکه های شکل دهی پالس
شکل (1-11) آرایش خط انتقال بلوملین
فصل دوم- بررسی توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
شکل (2-1) الف) نمونه ای از توپولوژی مبتنی بر مولد مارکس، ب) حالت شارژ مولد ، ج) حالت دشارژ شکل(2-2)مبدل باک (Buck)
شکل(2-3)شکل موج های ولتاژ – جریان و مدارمعادل مبدل باک : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطع
شکل(2-4)مبدل بوست (Boost)
شکل(2-5)شکل موج های ولتاژ – جریان و مدارمعادل مبدل بوست : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطع
شکل(2-6)مبدل باک - بوست (Boost -Buck)
شکل(2-7) شکل موج های ولتاژ - جریان و مدارمعادل مبدل باک - بوست : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطع
شکل(2-8) مبدل باک – بوست مثبت ( Positive Buck-Boost )
فهرست شکل ها
عنوان
صفحه
شکل (2-9) مبدل کاک (Cuk)
شکل (2-10)مدار معادل مبدل کاک در حالت های کلید زنی : الف) حالت وصل کلید ب) حالت قطع کلید
شکل (2-11) شکل موج های جریان و ولتاژ مبدل کاک در حالت های کلید زنی
شکل (2-12) مبدل تشدید با کلیدزنی نرم
شکل (2-13)تقویت کننده ولتاژ N طبقه کوک کرافت – والتون
شکل (2-14) توپولوژی های کنترلی مورد استفاده در یک منبع توان پالسی پلاسما
شکل (2-15)روش کنترلی منبع ولتاژ در منابع توان پالسی پلاسما
شکل(2-16)روش کنترلی منبع جریان مورد استفاده در منابع توان پالسی پلاسما
شکل(2-17)روش کنترلی حلقه جریان پسماند برای کنترل جریان سلفی در منابع توان پالسی پلاسما
شکل (2-18) روش کنترلی پسماند برای منابع توان پالسی پلاسما
فصل سوم - طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
شکل(3-1) شمای کلی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت منبع توان پالسی
شکل (3-2) منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی با یک مجموعه کلید- دیود- خازن
شکل (3-3) منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی با دو مجموعه کلید- دیود- خازن
شکل (3-4) مدل سازی توپولوژی پیشنهادی جهت تحلیل حالات کلیدزنی در منبع توان پالسی
شکل(3-5) حالت کلیدزنی شارژ شدن سلف در توپولوژی پیشنهادی
شکل(3-6) حالت کلیدزنی عبور جریان سلفی در توپولوژی پیشنهادی
شکل(3-7) حالت کلیدزنی شارژ همزمان خازن ها در توپولوژی پیشنهادی
شکل(3-8) حالت تامین بار در توپولوژی پیشنهادی
شکل(3-9) حالت کلید زنی شارژ جداگانه خازن ها در توپولوژی پیشنهادی
شکل (3-10) فلوچارت کنترلی پیشنهادی
فهرست شکل ها
عنوان
صفحه
فصل چهارم- شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت برای منابع
توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
شکل (4-1) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی – یک طبقه
شکل(4-2) شبیه سازی روش کنترلی منبع ولتاژ در توپولوژی پیشنهادی
شکل(4-3) مولفه ولتاژ توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه: (الف) کلید Ss (ب) کلید S1
شکل(4-4) مولفه جریان کلید بارSL توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه
شکل (4-5) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی – دو طبقه
شکل(4-6) مولفه ولتاژ توپولوژی پیشنهادی - دو طبقه درحالت کلید زنی همزمان: (الف) خازنC1 یا کلید S1 (ب) خازنC2 یا کلید S2 (ج) کلید SL
شکل(4-7) مولفه های اصلی توپولوژی پیشنهادی - دو طبقه درحالت کلید زنی جداگانه: (الف) ولتاژ خروجی (ب) جریان سلفی (ج) جریان خروجی(بار) IL (د) ولتاژ ورودی
شکل (4-8) شبیه سازی پیشنهادی جهت تخمین میزان انرژی ذخیره شده
شکل(4-9) تخمین انرژی ذخیره شده در توپولوژی پیشنهادی: (الف)انرژی ذخیره شده در سلف (ب) انرژی ذخیره شده درخازن (ج) انرژی ذخیره شده در بار
شکل(4-10) جریان خازنی در حالت کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
فهرست جدول ها
عنوان
صفحه ه
فصل اول- آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
جدول(1-1) شرح نواحی منحنی دشارژ گازی ولتاژ - جریان حالت dc پلاسما
جدول (1-2) خلاصه ای از مشخصات منابع توان پالسی برای کاربردهای مختلف
جدول(1-3) دامنه پالس های تولید شده در منابع توان پالسی
جدول (1-4)مشخصات دو مدل از مولد مارکس نواری
جدول (1-5)مشخصات مولد مارکس قطعه ای مدلA 43733
جدول(1-6) کلیدهای نیمه هادی گازی در منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
فصل دوم- بررسی توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
جدول(2-1) شاخص های کلیدی مبدل های dc - dc
جدول(2-2) شاخص های کلیدی مبدل های تشدید با کلید زنی نرم
فصل سوم - طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
جدول( 3-1) شاخص های کلیدی توپولوژی های مورد استفاه در منایع توان پالسی پلاسما
فصل چهارم- شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک – بوست مثبت برای منابع توان پالسی مورد استفاده در پلاسما
جدول (4-1) مقادیرمولفه و المان های اصلی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
جدول(4-2) مقادیر dv/dt تولید شده در حالت کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
جدول(4-3) خلاصه ای از مقایسه بین دو آرایش مختلف توپولوژی پیشنهادی منبع توان پالسی پلاسما
2
2
3
5
5
6
8
10
11
14
15
17
18
18
19
20
20
20
22
22
23
25
صفحه
26
28
30
32
34
35
35
36
37
39
40
41
42
42
44
48
51
51
52
53
54
صفحه
55
55
56
58
59
60
61
61
62
62
63
65
67
69
70
72
73
76
3
4
6
8
8
9
9
10
11
16
17
22
23
24
25
26
27
28
28
29
29
30
31
34
35
36
37
38
38
42
43
43
44
45
46
47
47
48
57
63
64
64
65
65
66
67
68
69
70
4
6
7
13
13
15
32
32
41
62
70
71
لیست علایم و اختصارات
AC ) Alternating Current جریان متناوب (
BJT ) Bipolar Junction Transistorترانزیستور پیوند دو قطبی (
CCM ) Continuous-Conduction-Modeحالت هدایت پیوسته (
CDVM ( Capacitor-Diode Voltage Multiplier)تقویت کننده ولتاژ دیود و خازن
CSR ) Converter Series Resonanمبدل تشدید سری (
DC ) Direct Currentجریان مستقیم (
EMI ) Electromagnetic Interferenceتداخلات الکترومغناطیسی (
EMC ) Electromagnetic Compatibilityسازگاری الکترومغناطیسی (
HV ) High Voltageولتاژ بالا (
IGBT ) Insulated Gate Bipolar Transistorترانزیستور دوقطبی گیت عایق شده (
MBL )Multistage Blumlein Linesخطوط بلوملین چند طبقه ای (
MFC ) Magnetic Flux Compressorکمپرسور شار مغناطیسی (
MG ) Marx Generatorمولد مارکس (
MOSEFET ) Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistorترانزیستورنیمه هادی اکسید فلزی با اثر میدان(
MPC )Magnetic Pulse Compressorکمپرسور پالس مغناطیسی (
MVM ) Multilevel Voltage تقویت کننده ولتاژ چند سطحی (
PEF ( Pulsed Electric Fieldمیدان الکتریکی پالسی (
PFC ) Power Factor Correctorsتنظیم کننده های ضریب قدرت (
PFN ) Pulse Forming Networkشبکه شکل دهی پالس (
SMPS (Switched-Mode Power Supply)روش کلید زنی منابع توان پالسی
ZCS )Zero Current Switchingکلید زنی جریان صفر (
ZVS ) Zero Voltage Switchingکلید زنی ولتاژ صفر (
منبع:
[1] H. Akiyama, T. Sakugawa, T. Namihira, K. Takaki, Y. Minamitani, and N. Shimomura, “Industrial Applications of Pulsed Power Technology”,IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul, Vol. 14, pp. 1051–1064, 2007.
[2] H. Akiyama, S. Sakai, T. Sakugawa, and T. Namihira, “Invited Paper -Environmental Applications of Repetitive Pulsed Power”, IEEE Trans.Dielectr. Electr. Insul. Vol. 14, pp. 825–833, 2010.
[3] T. Heeren, T. Ueno, D. Wang, T. Namihira, S. Katsuki, and H.Akiyama, “Novel Dual Marx Generator for Microplasma Applications”,IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 33, pp. 1205–1209, 2005.
[4] H. Li, H. J. Ryoo, J. S. Kim, G. H. Rim, Y. B. Kim, and J. Deng,“Development of Rectangle-Pulse Marx Generator Based on PFN”,IEEE Trans. Plasma Sci, Vol. 37, pp. 190–194, 2009.
[5] D. Wang, T. Namihira, K. Fujiya, S. Katsuki, and H. Akiyama, “The reactor design for diesel exhaust control using a magnetic pulse compressor”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 32, pp. 2038– 2044, 2004.
[6] J. Choi, T. Yamaguchi, K. Yamamoto, T. Namihira, T. Sakugawa, S. Katsuki, and H. Akiyama, “Feasibility Studies of EMTP Simulation for the Design of the Pulsed-Power Generator Using MPC and BPFN for Water Treatments”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 34, pp. 1744–1750, 2006.
[7] E. Spahn, G. Buderer, and C. Gauthier-Blum, “Novel PFN with current turn-off capability for electric launchers”, IEEE Trans. Magnetics, Vol. 37, pp. 398–402, 2001.
[8] T. G. Engel, and W. C. Nunnally, “Design and operation of a sequentially-fired pulse forming network for non-linear loads”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 33, pp. 2060–2065, 2005.
[9] T. Namihira, S. Tsukamoto, D. Wang, S. Katsuki, R. Hackam, H. Akiyama, Y. Uchida, and M. Koike, “Improvement of NOX removal efficiency using short-width pulsed power,” IEEE Trans. Plasma Sci, Vol. 28, pp. 434–442, 2000.
[10] D. P. Kumar, S. Mitra, K. Senthil, S. Archana, K. V. Nagesh, S. K. Singh, J. Mondal, R. Amitava, and D. P. Chakravarthy, “Characterization and analysis of a pulse power system based on Marx generator and Blumlein”, Rev. Sci. Instrum, Vol. 78, pp. 115107- 115107, 2007.
[11] J. Mankowski, and M. Kristiansen, “A review of short pulse generator technology”, IEEE Trans. Plasma Sci. Vol. 28, pp. 102–10, 2000.
[12] W. Jiang, K. Yatsui, K. Takayama, M. Akemoto, E. Nakamura, N. Shimizu, A. Tokuchi, S. Rukin, V. Tarasenko, and A. Panchenko, “Compact solid-State switched pulsed power and its applications”, Proc.IEEE, Vol. 92, pp. 1180–1196, 2004.
[13] H. A. Mangalvedekar, K. P. Dixit, D. N. Barve, A. S. Paithankar, and D. P. Chakravarthy, “Development of solid state pulse power modulator using toroidal amorphous core”, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul.Vol. 16, pp. 1006–1010, 2009.
[14] S. Castagno, R. D. Curry, E. Loree, “Analysis and Comparison of a Fast Turn-On Series IGBT Stack and High-Voltage-Rated Commercial IGBTS,” IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 34, pp. 1692–1696, 2006.
[15] H. Bai, Z. Zhao, and C. Mi. “Framework and Research Methodology of Short-Timescale Pulsed Power Phenomena in High-Voltage and High-Power Converters”, IEEE Trans. Indust. Electronics, Vol. 56, pp. 805–816, 2009.
[16] J. Pelletier, and A. Anders, “Plasma-based ion implantation and deposition: A review of physics, technology and applications”, IEEE Trans. Plasma Sci, Vol. 33, pp. 1944–1959, 2005.
[17] A. Boora, F. Zare, G. Ledwich, A. Ghosh,“A General Approach to Control a Positive Buck-Boost Converter to Achieve Robustness against Input Voltage Fluctuations and Load Changes”, IEEE , PESC 2008.
[18] A. Chakraborty, A. Khaligh, A. Emadi, “Combinationof Buck and Boost Modes to Minimize Transients in the Output of a Positive Buck-Boost Converter”, IEEE Industrial Electronics, IECON 2006 - 32nd Annual Conference on Nov. 2006, Page(s):2372-2377.
[19] A. Chakraborty, A. Khaligh, A. Emadi, A. Pfaelzer, “Digital Combination of Buck and Boost Converters to Control a PositiveBuck-Boost Converter”, Power Electronics Specialists Conference, 37th IEEE 18-22 June 2006, Page(s):9
[20] G. Yilei, H. Lijun, C. Huiming, L. Zhengyu, Q. Zhaoming, J. Li, “A simple structure of LLC resonant DC- DC converter for multi -output applications”, Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC. Twentieth Annual IEEE, Vol. 3, 6-10 March 2005, Page(s):1485 - 1490
[21] I. Harada, N. Hara, F.Ueno, I. Ota,“Multi-output SC type DC- DC converter using a flexible capacitor ring operation”, Telecommunications Energy Conference,. The 21st International 6-9 June 1999, Page(s):4.
[22] A.Parayandeh, D. Stupar, M. Prodic, “Programmable Digital Controller for Multi-Output DC-DC Converters with a Time- Shared Inductor”, Power Electronics Specialists Conference, PESC '06. 37th IEEE18-22 June 2006 , Page(s):9 – 12
[23] J.A.Oliver, R. Prieto, V.Romero, J.Cobos, “Behavioural Modelling of Multi-Output DC-DC Converters for Large-Signal Simulation of Distributed Power Systems”, Power Electronics Specialists Conference, PESC '06. 37th IEEE 18-22 June 2006, Page(s):10 – 16
[24] T. Namihira, S. Tsukamoto, D. Wang, S. Katsuki, RHakam, H. Akiyama, Y. Uchida and M. Koike,“Improvement of NO removal efficiency using shortwidth pulse power,” IEEE Trans. Plasma Science, vol. 28,no. 2, Apr. 2000, Page(s):434 – 442
[25] N. Mohan ,T.Undeland, W. Robbins," Power Electronics Converters, Applications and Design", JOHN WILEY & SONS, INC, Q. 2003.
[26] A. Boora, F.Zare, G. Ledwich, A. Ghosh, “A New DC-DC Converter with Multi Output: Topology and Control Strategies”, IEEE , PESC 2012.
[27] R. Ahmed , M. A. Choudhury, “Performance comparisons of Cûk and Boost regulated rectifier,” Journal of Electrical Engineering, IEB, Vol. EE 35, No. II, pp. 27-33, December 2008.
[28] S. Z. Sheykhrajeh, “A Flexible High Voltage Pulsed Power Supply for Plasma Applications”, A Thesis for the Degree of Doctor of Philosophy, Faculty of Built Environment and Engineering School of Engineering Systems Queensland University of Technology Queensland, Australia ,2011.
[29] A. Parayandeh, A.Stupar, N. Prodic, “Programmable Digital Controller for Multi-Output DC-DC Converters with a Time- Shared Inductor”, Power Electronics Specialists Conference, 2006.PESC '06. 37th IEEE, June 2006, Page(s):18 -22